Основные данные:

Объём: 512 ГБ
Форм-фактор: M.2

Интерфейс: PCI Express 3.0 x 4
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND

Технические характеристики:

Скорость последовательного чтения: 1 700 Мбайт/с
Скорость последовательной записи: 1 400 Мбайт/с

Средняя скорость случайного чтения: 220 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 200 000 IOps

Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч
Толщина: 3.8 мм