Основные данные:

Объём: 1 ТБ
Форм-фактор: M.2

Интерфейс: PCI Express 4.0 x 4
Тип микросхем: 3D TLC NAND
Ресурс записи: 600 TBW

Технические характеристики:

Кэш: DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера: 1024 МБ
Аппаратное шифрование: AES 256bit

Скорость последовательного чтения: 7 450 Мбайт/с
Скорость последовательной записи: 6 900 Мбайт/с

Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч
Толщина: 2.3 мм