Внутренний твердотельный
накопитель Samsung 990 EVO PCIe 4.0 x4 5.0 x2 M.2,
скорость последовательной записи до 4200 МБ
с и чтения до 5000 МБс, флэш-технология V-NAND
Подробности
Форм-фактор М.2
Емкость 1 ТБ, 2 ТБ
Скорость последовательного чтения до 5000 МБс
Скорость последовательной записи до 4200 МБс
Код модели(емкость MZ-V9E1T0BW 1 ТБ
Общие характеристики ПРИМЕНЕНИЕ: Клиентские ПК
ФОРМ-ФАКТОР M.2 2280
ИНТЕРФЕЙС: PCIe 4.0 x4 5.0 x2 NVMe 2.0
ПАМЯТЬ: Samsung V-NAND TLC
КОНТРОЛЛЕР: Контроллер собственного производства Samsung.
КЭШ-ПАМЯТЬ HMB (буфер памяти хост асобые возможности ПОДДЕРЖКА TRIM Поддерживается
ПОДДЕРЖКА S.M.A.R.T: Поддерживается
ПОДДЕРЖКА СПЯЩЕГО РЕЖИМА УСТРОЙСТВА: Да
Производительность ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ЧТЕНИЕ: 1 ТБ: до 5000 МБс, 2 ТБ: до 5000 МБс
ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ ЗАПИСЬ: 1 ТБ до 4200 МБс, 2 ТБ до 4200 МБс.
РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА: 0 70 Рабочая температура